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本设备主要用于氧化镓（Ga2O3）、氮化铝（AIN）等外延生长。
本设备主要用于砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物晶体生长。设备由机架、安瓿支撑机构、加热器和控制系统组成，能够实现安瓿移动和转动的精确控制。
本设备主要用于氧化镓（Ga2O3）单晶生长，将原料放在留有狭缝的模具中，熔液借虹吸作 用上升到模具顶部，受籽晶诱导结晶生长成单晶。
本设备主要用于氮化镓（GaN）单晶生长；
本设备主要用于氮化镓（GaN）单晶生长；
本设备是将SiC籽晶通过有机胶粘接在石墨上。提高籽晶粘接质量是保证高 品质SiC晶体生长的首要前提。
本设备主要用于碳化硅（SiC）、氮化铝（AIN）单晶生长。
本设备主要用于碳化硅（SiC）、氮化铝（AIN）单晶生长。
液相法可以在更低的温度（＜2000℃）以下实现SiC单晶的生长，理论上更容易获得高质量的单晶。利用温度梯度作为生长驱动力来实现晶体的生长。