PVT法长晶炉——电阻炉
所属分类：
化合物晶体设备
PVT法单晶生长设备
概要：
适用领域：单晶生长 Relevant Industries: Single Crystal Growth 适用材料: SiC、AIN Suitable for Processing: SiC (Silicon Carbide), AlN (Aluminum Nitride) 晶圆尺寸: 12/8 英寸 Wafer Size: 12/8 inch
关键词：
PVT法长晶炉——电阻炉
PVT法长晶炉——电阻炉
产品应用/Product Applications
适用领域：单晶生长
Relevant Industries: Single Crystal Growth
适用材料: SiC、AIN
Suitable for Processing: SiC (Silicon Carbide), AlN (Aluminum Nitride)
晶圆尺寸: 12/8 英寸
Wafer Size: 12/8 inch
技术指标 /Technical Parameters
制程温度范围：2400°C
Process Temperature Range: 2400°C
加热方式：感应/电阻
Heating Method: Induction/Resistance
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PVT法长晶炉——感应炉
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