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SiC高温氧化炉

SiC高温氧化炉

♦适用领域：化合物半导体 Relevant Industries: Compound Semiconductors ♦适用材料：SiC Suitable for Processing: Silicon Carbide (SiC) ♦晶圆尺寸：8/6英寸 Wafer Size: 8/6 inch ♦适用工艺：高温氧化(Oxidation) Applicable Processes: High-Temperature Oxidation

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