产品分类
PVT法长晶炉——感应炉
所属分类：
化合物晶体设备
PVT法单晶生长设备
概要：
适用领域：单晶生长 Relevant Industries: Single Crystal Growth 适用材料: Si、AIN Suitable for Processing: SiC (Silicon Carbide), AlN (Aluminum Nitride) 晶圆尺寸: 12/8/6/4英寸,8英寸多坩埚 Wafer Size: 12/8/6/4 inch, 8 inch Multi-crucibles
关键词：
PVT法长晶炉——感应炉
PVT法长晶炉——感应炉
产品应用/Product Applications：
适用领域：单晶生长 Relevant Industries: Single Crystal Growth
适用材料: Si、AIN Suitable for Processing: SiC (Silicon Carbide), AlN (Aluminum Nitride)
晶圆尺寸: 12/8/6/4英寸,8英寸多坩埚 Wafer Size: 12/8/6/4 inch, 8 inch Multi-crucibles
技术指标 /Technical Parameters：
制程温度范围：2400°C Process Temperature Range: 2400°C
加热方式：感应/电阻 Heating Method: Induction/Resistance
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提拉法单晶生长设备
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