产品分类
PVT法长晶炉——感应炉
所属分类：
SiC单晶生长设备
PVT法长晶炉
概要：
本设备主要用于碳化硅（SiC）、氮化铝（AIN）单晶生长。
关键词：
PVT法长晶炉——感应炉
PVT法长晶炉——感应炉
产品概述/Product Introduction：
本设备主要用于碳化硅（SiC）、氮化铝（AIN）单晶生长。
This equipment is mainly used for the single crystal growth of siliconcarbide(SiC) and aluminumnitride(AIN).
产品特点/Product Characteristics：
可生长8英寸碳化硅晶体
Growable 8-inch silicon carbide crystal
配备坩埚升降及旋转功能
Equipped with crucible lifting and rotating functions
自主开发的控制系统，可远程控制
Independently developed control system, capable of remote control
晶体尺寸：6/8/12英寸
Crystal size: 6/8/12 inches
加热温度：2400℃
Heating temperature: 2400℃
加热方式：感应/电阻
Heating method: induction/resistance
温度检测：高温计
Temperature detection: Pyrometer
极限真空：9.5E-5Pa
Extreme vacuum: 9.5E-5Pa
气路系统：3路
Gas system: 3 channels
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