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本设备主要用于氧化镓（Ga2O3）单晶生长（无铱法），将原料放在垂直的坩埚内， 然后从坩埚尖端开始通过预设好的温度梯度区作定向凝固。通过缓慢降温而生长出单晶。
本设备主要用于氮化镓（GaN）单晶生长；还可用于氧化镓（Ga2O3）、氮化铝（AIN）、 磷化铟（InP）、砷化镓（GaAs）等外延生长。
本设备主要用于氮化镓（GaN）单晶生长；还可用于氧化镓（Ga2O3）、氮化铝（AIN）、 磷化铟（InP）、砷化镓（GaAs）等外延生长。
本设备主要用于砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物晶体生长。设备由机架、安瓿支撑机构、加热器和控制系统组成，能够实现安瓿移动和转动的精确控制。
本设备主要用于氧化镓（Ga2O3）单晶生长，将原料放在留有狭缝的模具中，熔液借虹吸作 用上升到模具顶部，受籽晶诱导结晶生长成单晶。