山东力冠微电子装备

产品展示


SiC籽晶粘接设备

本设备是将SiC籽晶通过有机胶粘接在石墨上。提高籽晶粘接质量是保证高 品质SiC晶体生长的首要前提。

PVT法长晶炉——电阻炉

本设备主要用于碳化硅(SiC)、氮化铝(AIN)单晶生长。

PVT法长晶炉——感应炉

本设备主要用于碳化硅(SiC)、氮化铝(AIN)单晶生长。

液相法长晶炉

液相法可以在更低的温度(<2000℃)以下实现SiC单晶的生长,理论上更容易获得高质量的单晶。利用温度梯度作为生长驱动力来实现晶体的生长。

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