HVPE 法单晶生长设备 —立式
所属分类：
化合物晶体设备
HVPE法单晶生长设备
概要：
适用领域：单晶生长、外延生长 Relevant Industries: Single Crystal Growth, Epitaxial Growth 适用材料: GaN（单晶）、AIN（单晶/外延）、Ga2O3（外延） Suitable for Processing: GaN (single crystal),AlN (single crystal / epitaxial)Ga2O3 (epitaxial) 晶圆尺寸:12/ 8/6 英寸 Wafer Size: 12/8/6 inch
关键词：
HVPE外延炉——立式
HVPE 法单晶生长设备 —立式
产品应用/Product Applications：
适用领域：单晶生长、外延生长
Relevant Industries: Single Crystal Growth, Epitaxial Growth
适用材料: GaN（单晶）、AIN（单晶/外延）、Ga2O3（外延）
Suitable for Processing: GaN (single crystal),AlN (single crystal / epitaxial)Ga2O3 (epitaxial)
晶圆尺寸:12/ 8/6 英寸
Wafer Size: 12/8/6 inch
技术指标 /Technical Parameters：
加热温度：1100℃、1600℃（高温HVPE)
Heating Temperature: 1100℃, 1600°C (high-temperature HVPE)
加热方式：电阻
Heating Method:Resistance
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PVT法长晶炉——电阻炉
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