山东力冠微电子装备

产品展示


HVPE 法单晶生长设备 —卧式

适用领域:单晶生长、外延生长 Relevant Industries: Single Crystal Growth, Epitaxial Growth 适用材料:  GaN(单晶)、AIN(单晶/外延)、Ga2O3(外延) Suitable for Processing: GaN (single crystal),AlN (single crystal / epitaxial)Ga2O3 (epitaxial) 晶圆尺寸:  12/8/6 英寸 Wafer Size: 12/8/6  inch

HVPE 法单晶生长设备 —立式

适用领域:单晶生长、外延生长 Relevant Industries: Single Crystal Growth, Epitaxial Growth 适用材料:  GaN(单晶)、AIN(单晶/外延)、Ga2O3(外延) Suitable for Processing: GaN (single crystal),AlN (single crystal / epitaxial)Ga2O3 (epitaxial) 晶圆尺寸:12/ 8/6 英寸 Wafer Size: 12/8/6 inch

PVT法长晶炉——电阻炉

适用领域:单晶生长 Relevant Industries:  Single Crystal Growth 适用材料:  SiC、AIN Suitable for Processing:  SiC (Silicon Carbide), AlN (Aluminum Nitride) 晶圆尺寸:  12/8 英寸 Wafer Size: 12/8 inch

PVT法长晶炉——感应炉

适用领域:单晶生长 Relevant Industries:  Single Crystal Growth 适用材料:  Si、AIN Suitable for Processing:  SiC (Silicon Carbide), AlN (Aluminum Nitride) 晶圆尺寸:  12/8 英寸 Wafer Size: 12/8 inch

< 1 > 前往