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产品应用/Product Applications： ♦适用领域：单晶生长 Relevant Industries:Single Crystal Growth ♦适用材料：Ga2O3、GaAs等 Suitable for Processing: Ga2O3 (Gallium Oxide),GaAS(Gallium Arsenide), etc. ♦晶圆尺寸：12/8/6英寸 Wafer Size: 12/8/6 inch 技术指标/Technical Indicators： ♦制程温度范围：2200°C Process Temperature Range：2200°C ♦加热方式：感应/电阻 Heating Method:Induction/Resistance
适用领域：单晶生长、外延生长 Relevant Industries: Single Crystal Growth, Epitaxial Growth 适用材料: GaN（单晶）、AIN（单晶/外延）、Ga2O3（外延） Suitable for Processing: GaN (single crystal),AlN (single crystal / epitaxial)Ga2O3 (epitaxial) 晶圆尺寸: 8/6 英寸 Wafer Size: 8/6 inch
适用领域：单晶生长、外延生长 Relevant Industries: Single Crystal Growth, Epitaxial Growth 适用材料: GaN（单晶）、AIN（单晶/外延）、Ga2O3（外延） Suitable for Processing: GaN (single crystal),AlN (single crystal / epitaxial)Ga2O3 (epitaxial) 晶圆尺寸:8/6 英寸 Wafer Size: 8/6 inch
适用领域：单晶生长 Relevant Industries: Single Crystal Growth 适用材料: SiC、AIN Suitable for Processing: SiC (Silicon Carbide), AlN (Aluminum Nitride) 晶圆尺寸: 12/8 英寸 Wafer Size: 12/8 inch