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半导体集成电路制造的重要设备之一,主要用于POLY, D-POLY, SiN,LP-TEOS;立式LPCVD采用钟罩式结构,设计嵌套腔体机械手传片组件、舟旋转组件,具有占地面积小、成膜均匀性高、工艺稳定性高等优点。
LPCVD设备是半导体集成电路制造的重要设备之一,主要用于POLY, D-POLY, SiN,LP-TEOS。
专门用于碳化硅(SiC)氮化镓(GaN)器件的离子注入后退火工艺,采用特殊的无金属加热设计使加工温度提高到2000℃。 适用工艺:SiC和GaN晶圆的退火
专用于SiC晶圆的高温氧化工艺,可实现晶圆片高温真空环境下完成氧化工艺。可使用O2,N2O,NO,NO2或湿法氧化,采用无金属加热和真空装备。 适用工艺:氧化
该设备是半导体生产线前工序的重要工艺设备之一,用于大规模集成电路、 分立器件、电力电子、光电器件等行业的氧化、扩散、退火、合金等工艺。 氧化工艺:主要用于初始氧化层、栅氧化层、场氧化层等多种氧化介质层的制备工艺。
该设备是半导体生产线前工序的重要工艺设备之一,用于大规模集成电路、 分立器件、电力电子、光电器件等行业的磷/硼扩散、氧化、退火、合金和烧结等工艺 ; 主要用于初始氧化层、栅氧化层、场氧化层等多种氧化介质层的制备工艺。
本设备主要是用于制备单晶金刚石。可激发高稳定度的等离子团,从而确保单晶生长的持续性,为合成大尺寸单晶金刚石提供有力保证。
本设备主要用于氧化镓(Ga2O3)单晶生长(无铱法),将原料放在垂直的坩埚内, 然后从坩埚尖端开始通过预设好的温度梯度区作定向凝固。通过缓慢降温而生长出单晶。
本设备主要用于氧化镓(Ga2O3)、氮化铝(AIN)等外延生长。