产品分类
HVPE长晶炉——立式
所属分类：
GaN单晶生长设备
概要：
本设备主要用于氮化镓（GaN）单晶生长；还可用于氧化镓（Ga2O3）、氮化铝（AIN）、 磷化铟（InP）、砷化镓（GaAs）等外延生长。
关键词：
晶体提拉
HVPE长晶炉——立式
产品概述/Product Introduction：
本设备主要用于氮化镓（GaN）单晶生长；还可用于氧化镓（Ga2O3）、氮化铝（AIN）、 磷化铟（InP）、砷化镓（GaAs）等外延生长。
This equipment is mainly Used for the growth of galiumnitride(GaN)single crystal；Used for the epitaxial growth of gallium oxide （Ga2O3），aluminum nitride（AIN）， indium phosphide（InP）and gallium arsenide（GaAs）.
产品特点/Product Characteristics：
♦衬底:2-8英寸
Substrate size :2-8 inches
♦数量:1片/多片
Quantity:1pcs/multiple pcs
♦控温精度:精度高，温区稳定性好
Temperature control precision : High temperature control precision and good statlity in temperature zone.
♦结构:立式/卧式可选，满足多种尺寸衬底多种操作方式需要
Structure: Vtica/horizontal structual is optional,can meet theneeds of customerswith various sizes ofsubstrates and variousoperation ♦modes. 安全保护功能:硬件保护+软件互锁 Security protection: Hardware protection+software interlock
♦氮化镓单晶生长尺寸: 2英寸
GaN single crystal growth size:2 inches
♦氮化镓单晶生长速率:＞50微米/小时
GaN single crystal growth rate:＞50 microns/Hr
♦氮化镓单晶层厚度:＜200微米
GaN single crystal layer thickness:＜200 microns
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