液相法长晶炉

所属分类：

SiC单晶生长设备

液相法长晶炉

概要：

液相法可以在更低的温度（＜2000℃）以下实现SiC单晶的生长，理论上更容易获得高质量的单晶。利用温度梯度作为生长驱动力来实现晶体的生长。

关键词：

液相法长晶炉

液相法长晶炉

产品概述/Product Introduction：

本设备主要用于碳化硅（SiC）单晶生长。液相法可以在更低的温度（＜2000℃）以下实现SiC单晶的生长，理论上更容易获得高质量的单晶。利用温度梯度作为生长驱动力来实现晶体的生长。

This equipment is mainly used for the single crystal growth of siliconcarbide(SiC) .LPE method enables the growth of SiC single crystals below much lower temperatures (<2000°C), which theoretically makes it easier to obtain high-quality single crystals. The temperature gradient is utilized as a growth driver to achieve crystal growth.

产品特点/Product Characteristics：

提供2英寸验证工艺

Provide 6-8 inches validation process

♦ 晶体尺寸:6/8英寸

Crystal size: 6/8 inches

♦ 温度范围：温度1500-2100℃

Temperature range: 1500-2100 ℃

♦ 真空度:1*10-3pa

Vacuum Pressure: 1 * 10-3pa

♦ 提拉/坩埚杆：升降0.2-400mm/h，旋转0.5-50rpm

Lift/crucible lever: lift rate 0.2-400mm/h, rotation rate 0.5-50rpm

♦ 称重：6kg 精度：0.01g