产品分类
提拉法单晶生长设备
所属分类：
化合物晶体设备
提拉法单晶生长设备
概要：
适用领域：单晶生长、EFG、LPE Application Fields: Single Crystal Growth, Edge-defined Film-fed Growth (EFG), Liquid Phase Epitaxy (LPE) 适用材料: SiC、Ga2O3、YAG、LYSO、LT/LN、GGG、YAP等晶体 Suitable for Processing: SiC (Silicon Carbide), Ga2O3 (Gallium Oxide), YAG (Yttrium Aluminum Garnet), LYSO (Lutetium Yttrium Orthosilicate), LT/LN (Lithium Tantalate / Lithium Niobate), GGG (Gadolinium Gallium Garnet), YAP (Yttrium Aluminum Perovskite) and other crystals 晶圆尺寸: 12/8/6/4英寸 Wafer Size: 12/8/6/4 inch
关键词：
液相法长晶炉
提拉法单晶生长设备
产品应用/Product Applications：
适用领域：单晶生长、EFG、LPE Application Fields: Single Crystal Growth, Edge-defined Film-fed Growth (EFG), Liquid Phase Epitaxy (LPE)
适用材料: SiC、Ga2O3、YAG、LYSO、LT/LN、GGG、YAP等晶体
Suitable for Processing: SiC (Silicon Carbide), Ga2O3 (Gallium Oxide), YAG (Yttrium Aluminum Garnet), LYSO (Lutetium Yttrium Orthosilicate), LT/LN (Lithium Tantalate / Lithium Niobate), GGG (Gadolinium Gallium Garnet), YAP (Yttrium Aluminum Perovskite) and other crystals
晶圆尺寸: 12/8/6/4英寸 Wafer Size: 12/8/6/4 inch
技术指标 /Technical Parameters：
加热温度：2400℃ Heating Temperature: 2400℃
加热方式：感应 Heating Method:Induction
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MPCVD设备
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