产品分类
导模法长晶炉
所属分类：
Ga2O3单晶生长及外延设备
导模法长晶炉
概要：
本设备主要用于氧化镓（Ga2O3）单晶生长，将原料放在留有狭缝的模具中，熔液借虹吸作 用上升到模具顶部，受籽晶诱导结晶生长成单晶。
关键词：
导模法长晶炉
导模法长晶炉
产品概述/Product Introduction：
本设备主要用于氧化镓（Ga2O3）单晶生长，将原料放在留有狭缝的模具中，熔液借虹吸作 用上升到模具顶部，受籽晶诱导结晶生长成单晶。
This equipment is mainly used for gallium oxide (Ga2O3) single crystal growth, the raw material is placed in the mold with a slit, the molten liquid rises to the top of the mold by siphoning, and is induced by the seed crystals to crystallize and grow into a single crystal.
提供2英寸验证工艺
Provide 2 inches validation process
产品特点/Product Characteristics：
♦ 产量:2-6英寸
Capacity:2-6 inches
♦最高温度:1900℃
Maximum temperature:1900°C
♦配置:上称重方式 精度:10mg
Configuration:Upper weighing method accuracy:10mg
♦加热方式:RF
Heating method:RF
♦气体:3路
Air Circuit:3 ways
♦衬底:2英寸
Substrate:2 inches
♦XRD半高峰宽:≤150arcsec
XRD half peak width:≤150arcsec
♦位错密度:≤1×104cm-2
Dislocation density:≤1×104cm-2
♦载流子浓度:1×1018—2×1019cm-3（导电型）
Carrier concentration:1×1018-2×1019cm-3(conductive)
♦电阻率:≥1×1010Ωcm（半绝缘）
Resistivity:≥1×1010Ωcm(semi-insulating)
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无
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