PECVD 卧式
所属分类：
第一代半导体工艺设备
概要：
♦ PECVD主要应用于氧化硅(SiO₂) 和氮化硅(SiN4) 材料的薄膜生长，工作原理是在低压引入高频射频电源，采取电容耦合方式使工艺气体电离放电，形成等离子体状态，产生大量的活性基团，这些活性基团在衬底材料表面发生化学反应并沉积到衬底表面，生长出氧化硅(SiO₂) 或氮化硅(SiN4) 薄膜
关键词：
PECVD (立式/卧式)
PECVD 卧式
产品概述/Product Introduction：
♦ PECVD主要应用于氧化硅(SiO₂) 和氮化硅(SiN4) 材料的薄膜生长，工作原理是在低压引入高频射频电源，采取电容耦合方式使工艺气体电离放电，形成等离子体状态，产生大量的活性基团，这些活性基团在衬底材料表面发生化学反应并沉积到衬底表面，生长出氧化硅(SiO₂) 或氮化硅(SiN4) 薄膜
PECVD is mainly used for thin film growth of silicon oxide (SiO₂) and silicon nitride (SiN4) materials, The working principle is to introduce a high-frequency RF power supply at low voltage, ionize and discharge the process gas by capacitive coupling, and form a plasma state, which produces a large number of active groups. These active groups react chemically on the surface of the substrate material and depos- it on the bottom surface of the village, and grow silicon oxide (SiO₂) or silicon nitride (SiN4) thin films.
产品特点/Product Characteristics：
♦ 成膜质量高
High film quality
♦ 体积小占地面积小，操作简便
Small volume, small floor area and simple operation
♦ 具有良好的工艺性能，使用范围广泛
Has good process performance and wide application range
技术指标/Technical Indicators：
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晶片尺寸:最大8英寸 Wafer size: Max. 8 inches |
温度:50°C-900°C Temperature: 50°C-900°C |
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真空系统:干泵+分子泵 Vacuum system: dry pump + molecular pump |
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应用范围/Scope：
♦ 应用于半导体器件、电力电子器件、光电子等行业氧化硅(SiO₂) 或氮化硅(SiO₂) 薄膜的制备
It can be used to prepare silicon oxide (SiO₂) or silicon nitride (SiO₂) thin films in semiconductor de- vices, power electronic devices, optoelectronics and other industries
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