氧化/扩散/退火炉
所属分类：
卧式炉管设备
半导体芯片设备
氧化/扩散/退火炉
概要：
♦ 适用领域：集成电路、先进封装、化合物半导体 Relevant Industries: Integrated Circuits, Advanced Packaging, Compound Semiconductors ♦ 适用材料: Si、SiC、GaN Suitable for Processing: Silicon (Si), Silicon Carbide (SiC), Gallium Nitride (GaN) ♦ 晶圆尺寸：12/8 英寸 Wafer Size: 12/8 inch ♦ 适用工艺：氧化(Oxidation)、退火(Annealing)、固化(Polyimide)、 合金(Alloy)、扩散(Diffusion) Applicable Processes: Oxidation, Annealing, Polyimide Curing, Alloy, Diffusion
关键词：
LPCVD立式炉管设备
氧化/扩散/退火炉
产品应用Product Applications：
♦ 适用领域：集成电路、先进封装
Relevant Industries: Integrated Circuits, Advanced Packaging
♦ 适用材料: Si
Suitable for Processing: Silicon (Si)
♦ 晶圆尺寸：12/8 英寸
Wafer Size: 12/8 inch
♦ 适用工艺：氧化(Oxidation)、退火(Annealing)、固化(Polyimide)、 合金(Alloy)、扩散(Diffusion)
Applicable Processes: Oxidation, Annealing, Polyimide Curing, Alloy, Diffusion
技术指标 Technical Parameters：
♦ 制程温度范围：300°C-1250°C
Process Temperature Range: 300°C-1250°C
♦批次片数: 100-250片
Batch Capacity: 100-250 pcs
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