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坩埚下降法（vb）长晶炉
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适用领域： 单晶生长 Relevant Industries:Single Crystal Growth 适用材料: Ga2O3、GaAs、InP等 Suitable for Processing: Ga2O3 (Gallium Oxide), GaAs (Gallium Arsenide), InP (Indium Phosphide) etc. 晶圆尺寸: 12/8/6英寸 Wafer Size: 12/8/6 inch
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