产品分类
SiC高温退火炉
所属分类：
氧化/扩散/退火
半导体工艺设备
SiC高温退火炉
概要：
专门用于碳化硅（SiC）氮化镓（GaN）器件的离子注入后退火工艺，采用特殊的无金属加热设计使加工温度提高到2000℃。 适用工艺：SiC和GaN晶圆的退火
关键词：
SiC高温退火炉
SiC高温退火炉
产品概述/Product Introduction：
♦ 专门用于碳化硅（SiC）氮化镓（GaN）器件的离子注入后退火工艺，采用特殊的无金属加热设计使加工温度提高到2000℃。
Specially used for ion implantation annealing process of silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN) devices, with a special non-metallic heating design to increase the processing temperature to 2000 ℃.
♦ 适用工艺：SiC和GaN晶圆的退火
Applicable process: Annealing of SiC and GaN wafers
产品特点/Product Characteristics：
♦ 采用立式结构、工艺控制好、温度分布均匀、气流稳定
The vertical structure is adopted, the process is well controlled, the temperature distribution is uniform, and the airflow is stable
♦ Robot自动传送
Robot Auto Transfer
♦ 多点控温，温度均匀
Multi-point temperature control, uniform temperature
♦ 具有多种报警功能及安全保护功能
Has various alarm functions and safety protection functions
技术指标/Technical Indicators：
♦ 晶片尺寸：6-8英寸 Wafer size: 6-8 inches
♦ 制程温度范围: 800-2000 °C Process temperature range: 800-2000°C
♦ 批次片数: 50-75片 Batch capacity: 50-75 pcs
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SiC高温氧化炉
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