SiC高温氧化炉

所属分类：

氧化/扩散/退火

半导体工艺设备

SiC高温氧化炉

概要：

专用于SiC晶圆的高温氧化工艺，可实现晶圆片高温真空环境下完成氧化工艺。可使用O2,N2O，NO，NO2或湿法氧化，采用无金属加热和真空装备。适用工艺：氧化

关键词：

SiC高温氧化炉

SiC高温氧化炉

产品概述/Product Introduction：

专用于SiC晶圆的高温氧化工艺，可实现晶圆片高温真空环境下完成氧化工艺。可使用O2,N2O，NO，NO2或湿法氧化，采用无金属加热和真空装备。

A high-temperature oxidation process specifically designed for SiC wafers, capable of completing the oxidation process in a high-temperature vacuum environment. O2, N2O, NO, NO2 or wet oxidation can be used, using non-metallic heating and vacuum equipment.

适用工艺：氧化

Applicable process: oxidation

技术指标/Technical Indicators：

♦ 晶片尺寸：6-8英寸 Wafer size: 6-8 inches

♦ 制程温度范围: 800-1600°C Process temperature range: 800-1600°C

♦ 批次片数: 50-75片 Batch capacity: 50-75 pcs

产品特点/ Product characteristics：

♦ 采用立式结构、工艺控制好、温度分布均匀、气流稳定

The vertical structure is adopted, the process is well controlled, the temperature distribution is uniform, and the airflow is stable

♦Robot自动传送

Robot Auto Transfer (Optional)

♦ 多点控温，温度均匀