InP长晶设备

产品应用/Product Applications： ♦适用领域：单晶生长 Relevant Industries:Single Crystal Growth ♦适用材料：Ga2O3、GaAs等 Suitable for Processing: Ga2O3 (Gallium Oxide),GaAS(Gallium Arsenide), etc. ♦晶圆尺寸：12/8/6英寸 Wafer Size: 12/8/6 inch 技术指标/Technical Indicators： ♦制程温度范围：2200°C Process Temperature Range：2200°C ♦加热方式：感应/电阻 Heating Method:Induction/Resistance

导模炉

产品应用/Product Applications： ♦适用领域：单晶生长、EFG、LPE Relevant Industries:Single Crystal Growth, Edge-defined Film-fed Growth (EFG) Liquid Phase Epitaxy (LPE) ♦适用材料：SiC、Ga2O3、YAG、LYSO、LT/LN、GGG、YAP等晶体 Suitable for Processing: SiC (Silicon Carbide), Ga2O3 (Gallium Oxide), YAG (Yttrium Aluminum Garnet), LYSO (Lutetium Yttrium Orthosilicate), LT/LN (Lithium Tantalate / Lithium Niobate), GGG (Gadolinium Gallium Garnet),  YAP (Yttrium Aluminum Perovskite) and other crystals ♦晶圆尺寸：12/8/6/4英寸 Wafer Size: 12/8/6/4 inch

立式 丨氧化/扩散/退火/LPCVD/ALD设备

♦适用领域：集成电路、先进封装 Relevant Industries: Integrated Circuits, Advanced Packaging ♦适用材料：Si Suitable for Processing: Silicon (Si) ♦晶圆尺寸：12/8 英寸 Wafer Size: 12/8 inch ♦适用工艺：氮化硅(SiN)、二氧化硅(SiO2)等膜层的沉积 Silicon Nitride (SiN)、 Silicon Dioxide（SiO2）, and other film layers

卧式丨氧化/扩散/退火/LPCVD设备

♦ 适用领域：集成电路、先进封装、化合物半导体 Relevant Industries: Integrated Circuits, Advanced Packaging, Compound Semiconductors ♦ 适用材料:  Si、SiC、GaN Suitable for Processing: Silicon (Si), Silicon Carbide (SiC), Gallium Nitride (GaN) ♦ 晶圆尺寸：12/8 英寸 Wafer Size: 12/8 inch ♦ 适用工艺：氧化(Oxidation)、退火(Annealing)、固化(Polyimide)、 合金(Alloy)、扩散(Diffusion) Applicable Processes: Oxidation, Annealing, Polyimide Curing, Alloy, Diffusion

HVPE 法单晶生长设备 —卧式

适用领域：单晶生长、外延生长 Relevant Industries: Single Crystal Growth, Epitaxial Growth 适用材料:  GaN（单晶）、AIN（单晶/外延）、Ga2O3（外延） Suitable for Processing: GaN (single crystal),AlN (single crystal / epitaxial)Ga2O3 (epitaxial) 晶圆尺寸:  8/6 英寸 Wafer Size: 8/6  inch

HVPE 法单晶生长设备 —立式

适用领域：单晶生长、外延生长 Relevant Industries: Single Crystal Growth, Epitaxial Growth 适用材料:  GaN（单晶）、AIN（单晶/外延）、Ga2O3（外延） Suitable for Processing: GaN (single crystal),AlN (single crystal / epitaxial)Ga2O3 (epitaxial) 晶圆尺寸:8/6 英寸 Wafer Size: 8/6 inch

PVT法长晶炉

适用领域：单晶生长 Relevant Industries:  Single Crystal Growth 适用材料:  SiC、AIN Suitable for Processing:  SiC (Silicon Carbide), AlN (Aluminum Nitride) 晶圆尺寸:  12/8 英寸 Wafer Size: 12/8 inch