产品分类
垂直布里奇曼法（VB）炉（非铱技术）
所属分类：
化合物晶体设备
布里奇曼法单晶生长设备(VB、VGF)
概要：
适用领域： 单晶生长 Relevant Industries:Single Crystal Growth 适用材料: Ga2O3、GaAs、InP等 Suitable for Processing: Ga2O3 (Gallium Oxide), GaAs (Gallium Arsenide), InP (Indium Phosphide) etc. 晶圆尺寸: 12/8/6英寸 Wafer Size: 12/8/6 inch
关键词：
坩埚下降法（vb）长晶炉
垂直布里奇曼法（VB）炉（非铱技术）
产品应用/Product Applications：
适用领域： 单晶生长
Relevant Industries:Single Crystal Growth
适用材料: Ga2O3、GaAs、InP等
Suitable for Processing: Ga2O3 (Gallium Oxide), GaAs (Gallium Arsenide), InP (Indium Phosphide) etc.
晶圆尺寸: 12/8/6英寸
Wafer Size: 12/8/6 inch
技术指标 /Technical Parameters：
加热温度：2200℃
Heating Temperature: 2200℃
加热方式：感应/电阻
Heating Method: Induction/Resistance
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HVPE 法单晶生长设备 —卧式
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