垂直布里奇曼法（VB）炉（非铱技术）

所属分类：

Ga2O3单晶生长及外延设备

垂直布里奇曼法（VB）炉（非铱技术）

概要：

本设备主要用于氧化镓（Ga2O3）单晶生长（无铱法），将原料放在垂直的坩埚内，然后从坩埚尖端开始通过预设好的温度梯度区作定向凝固。通过缓慢降温而生长出单晶。

关键词：

坩埚下降法（vb）长晶炉

垂直布里奇曼法（VB）炉（非铱技术）

产品概述/Product Introduction：

This equipment is mainly used for single crystal growth of Gallium Oxide (Ga2O3) (non-iridium method), where the raw material is placed in a vertical crucible and then directionally solidified from the tip of the crucible through a pre-set temperature gradient zone. Single crystals are grown by slow cooling.

提供2英寸验证工艺

Provide 2 inches validation process.

产品特点/Product Characteristics：

♦产量:2-6英寸 Capacity:2-6 inches

♦最高温度:1850℃ Maximum temperature: 1850°C

♦加热方式:电阻/RF Heating method: Resistance heating/RF heating

♦自动化:全自动化（除装取料外） Automation:Full automation (except loading and unloading)

♦气路:3路 Air Circuit:3 ways

♦衬底:2英寸 Substrate:2 inches

♦单晶:2英寸高度:30mm Single crystal:2 inches Height:30mm

♦纯单晶，没有杂质，电学性能不做保证 Pure single crystal, no impurities, electrical properties are not guaranteed

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