山东力冠微电子装备

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垂直布里奇曼法(VB)炉(非铱技术)

适用领域:  单晶生长 Relevant Industries:Single Crystal Growth 适用材料:  Ga2O3、GaAs、InP等 Suitable for Processing: Ga2O3 (Gallium Oxide), GaAs (Gallium Arsenide), InP (Indium Phosphide) etc. 晶圆尺寸:  12/8/6英寸 Wafer Size: 12/8/6 inch

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