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LPCVD卧式炉管设备
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适用领域：集成电路、先进封装、化合物半导体 Relevant Industries: Integrated Circuits, Advanced Packaging, Compound Semiconductors 适用材料: Si、SiC、GaN Suitable for Processing: Silicon (Si), Silicon Carbide (SiC), Gallium Nitride (GaN) 晶圆尺寸：12/8/6英寸 Wafer Size: 8/6 inch 适用工艺：氮化硅(SiN)、多晶硅(Poly-Si/U-Poly/D-Poly)、 二氧化硅(TEOS)、HTO等 Applicable Processes: Silicon Nitride (SiN) Deposition, Polysilicon(Poly-Si / U-Poly /D-Poly) Deposition, Silicon Dioxide (TEOS) Deposition, HTO, etc.
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