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PECVD (立式/卧式)
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♦ PECVD主要应用于氧化硅(SiO₂) 和氮化硅(SiN4) 材料的薄膜生长，工作原理是在低压引入高频射频电源，采取电容耦合方式使工艺气体电离放电，形成等离子体状态，产生大量的活性基团，这些活性基团在衬底材料表面发生化学反应并沉积到衬底表面，生长出氧化硅(SiO₂) 或氮化硅(SiN4) 薄膜
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