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专门用于碳化硅（SiC）氮化镓（GaN）器件的离子注入后退火工艺，采用特殊的无金属加热设计使加工温度提高到2000℃。 适用工艺：SiC和GaN晶圆的退火
专用于SiC晶圆的高温氧化工艺，可实现晶圆片高温真空环境下完成氧化工艺。可使用O2,N2O，NO，NO2或湿法氧化，采用无金属加热和真空装备。 适用工艺：氧化
该设备是半导体生产线前工序的重要工艺设备之一，用于大规模集成电路、 分立器件、电力电子、光电器件等行业的氧化、扩散、退火、合金等工艺。 氧化工艺：主要用于初始氧化层、栅氧化层、场氧化层等多种氧化介质层的制备工艺。
该设备是半导体生产线前工序的重要工艺设备之一，用于大规模集成电路、 分立器件、电力电子、光电器件等行业的磷/硼扩散、氧化、退火、合金和烧结等工艺 ； 主要用于初始氧化层、栅氧化层、场氧化层等多种氧化介质层的制备工艺。