PVT单晶生长设备
所属分类：
第三代半导体工艺设备
概要：
♦ 本设备主要用于碳化硅(SiC) 、氮化铝(AIN) 单晶生长
关键词：
PVT单晶生长
PVT单晶生长设备
产品概述/Product Introduction：
♦ 本设备主要用于碳化硅(SiC) 、氮化铝(AIN) 单晶生长
This equipment is mainly used for the single crystal growth of silion carbide (SiC) and aluminum nitride (AIN)
产品特点/Product characteristics：
♦ 提供两种工艺包
Two process packages are provided
①外形包:产出6英寸碳化硅(SiC) 单晶，外形不开裂
Shape package: 6-inch silicon carbide (SiC) single crystal is produced without cracking
②工艺包:晶型: 4H
Process package: Crystal form: 4H
电阻率:0.015~0.025ohm.cm
Resistivity: 0.015 ~ 0.025 ohm . cm
直径:150.25士0.25mm
Diameter: 150.25士0.25 mm
厚度:≥10 (Figure 2) mm
Thickness:≥10 (Figure 2) mm
微管密度:≤3ea/cm²
Microtubule density:≤3 ea/cm²
TSD:≤1000ea/cm²
♦ 温度最高可达2400°C
Temperatures up to 2400°C
♦ 加热方式:感应、电阻
Heating mode: induction and resistance
♦ 衬底尺寸: 4/6/8英寸
Substrate size: 4/6/8 inches
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SiC籽晶粘接设备
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