产品展示
♦ 用于氮化镓(GaN)单晶生长 ♦ 用于氧化镓(Ga₂O₃)、氮化铝(AIN)、磷化铟(InP)、砷化镓(GaAs)外延生长
♦ 用于氮化镓(GaN)单晶生长 ♦ 用于氧化镓(Ga₂O₃)、氮化铝(AIN)、磷化铟(InP)、砷化镓(GaAs)外延生长
♦ 本设备主要用于碳化硅(SiC) 、氮化铝(AIN) 单晶生长
♦ 籽晶的粘接工艺技术是将SiC籽晶通过有机胶粘接在石墨纸上，提高籽晶粘接质量是保证高品质SiC晶体生长的首要前提。
♦ 微波等离子化学气相沉积技术(MPCVD) , 通过等离子增加前驱体的反应速率,降低反应温度。适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量的金刚石单晶和多晶薄膜
♦ 专门用于硅碳化合物(SiC) 的氧化处理，可实现SiC片在高温真空环境下完成高温氧化工艺。氧化工艺使用湿法氧化气体或N2O、NO、NO2,是最安全的毒性气体氧化炉 ♦ 设备适用于SiC基功率器件制造中的高温氧化工艺环节 ♦ 加热腔与工艺腔独立密闭设计，提供工艺腔的洁净度
♦ 专门用于硅碳化合物(SiC) 的离子激活和退火处理，可实现SiC片在高温真空环境下完成活性工艺 ♦ 设备适用于SiC基功率器件制造中的离子激活和退火工艺环节 ♦ 加热腔与工艺腔独立密闭设计，提供工艺腔的洁净度