产品展示
♦ 专门用于硅碳化合物(SiC) 的氧化处理，可实现SiC片在高温真空环境下完成高温氧化工艺。氧化工艺使用湿法氧化气体或N2O、NO、NO2,是最安全的毒性气体氧化炉 ♦ 设备适用于SiC基功率器件制造中的高温氧化工艺环节 ♦ 加热腔与工艺腔独立密闭设计，提供工艺腔的洁净度
♦ 专门用于硅碳化合物(SiC) 的离子激活和退火处理，可实现SiC片在高温真空环境下完成活性工艺 ♦ 设备适用于SiC基功率器件制造中的离子激活和退火工艺环节 ♦ 加热腔与工艺腔独立密闭设计，提供工艺腔的洁净度
♦ LPCVD设备是半导体集成电路制造的重要设备之一， 主要用于多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜的生长,它是将原材料气体(或者液态源气化)用热能激活发生化学反应而在基片表面生成固体薄膜，LPCVD过程是在低压下进行的，由于气压低，气体分子平均自由程大，使生长的薄膜均匀性好，此外基片可以竖放使得设备装片量大，特别适用于工业化生产
♦ LPCVD设备是半导体集成电路制造的重要设备之一， 主要用于多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜的生长,它是将原材料气体(或者液态源气化)用热能激活发生化学反应而在基片表面生成固体薄膜，LPCVD过程是在低压下进行的，由于气压低，气体分子平均自由程大，使生长的薄膜均匀性好，此外基片可以竖放使得设备装片量大，特别适用于工业化生产
♦ PECVD主要应用于氧化硅(SiO₂) 和氮化硅(SiN4) 材料的薄膜生长，工作原理是在低压引入高频射频电源，采取电容耦合方式使工艺气体电离放电，形成等离子体状态，产生大量的活性基团，这些活性基团在衬底材料表面发生化学反应并沉积到衬底表面，生长出氧化硅(SiO₂) 或氮化硅(SiN4) 薄膜
♦ 该设备是半导体生产线前工序的重要工艺设备之一，用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件等行业的扩散、氧化、退火、合金和烧结等工艺 ♦ 设计了硅片生产的多种工艺性能需要，具有生长效率高、产品性能优越的特点 ♦ 具有污染低、占地面积小、温度均匀、可装载晶圆尺寸大、工艺稳定性高等优点 ♦ 主要用于初始氧化层、屏蔽氧化层、衬垫氧化层、牺牲氧化层、场氧化层等多种氧化介质层的制备工艺
◆ 主要用于半导体器件退火及烧结等工艺，可进行真空、气体保护等 ◆ 设备结构新颖,操作方便 ◆ 在一台设备上可以完成多个工艺流程
◆ 气相外延是一种单晶薄层生长方法 ◆ 气相外延广义上是化学气相沉积的一种特殊方式，其生长薄层的晶体结构是单晶衬底的延续，而且与衬底的晶向保持对应的关系 ◆ 在半导体科学技术的发展中，气相外延发挥了重要作用 ◆ 砷化踪(GaAs)气相外延技术生长的砷化鲸(GaAs)纯度高、电学特性好，广泛的应用于霍尔器件、耿氏二极管、场效应晶体管等微波器件中