山东力冠微电子装备有限公司
专业半导体设备制造商
聚力成事 名冠天下

产品展示

主要从事半导体专用设备的研发、生产、销售与专业化的技术服务。

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氧化/扩散/退火炉

氧化/扩散/退火炉

适用领域：集成电路、先进封装、化合物半导体 Relevant Industries: Integrated Circuits, Advanced Packaging, Compound Semiconductors 适用材料:  Si、SiC、GaN Suitable for Processing: Silicon (Si), Silicon Carbide (SiC), Gallium Nitride (GaN) 晶圆尺寸：12/8/6英寸 Wafer Size: 8/6 inch 适用工艺：氧化(Oxidation)、退火(Annealing)、固化(Polyimide)、 合金(Alloy)、扩散(Diffusion) Applicable Processes: High-Temperature Annealing

LPCVD设备

LPCVD设备

适用领域：集成电路、先进封装、化合物半导体 Relevant Industries: Integrated Circuits, Advanced Packaging, Compound Semiconductors 适用材料:  Si、SiC、GaN Suitable for Processing: Silicon (Si), Silicon Carbide (SiC), Gallium Nitride (GaN) 晶圆尺寸：12/8/6英寸 Wafer Size: 8/6 inch 适用工艺：氮化硅(SiN)、多晶硅(Poly-Si/U-Poly/D-Poly)、 二氧化硅(TEOS)、HTO等 Applicable Processes: Silicon Nitride (SiN) Deposition, Polysilicon(Poly-Si / U-Poly /D-Poly) Deposition, Silicon Dioxide (TEOS) Deposition, HTO, etc.

SiC高温退火炉

SiC高温退火炉

♦ 适用领域：化合物半导体 Relevant Industries: Compound Semiconductors ♦适用材料：SiC Suitable for Processing: Silicon Carbide (SiC) ♦晶圆尺寸：8/6英寸 Wafer Size: 8/6 inch ♦适用工艺：高温退火(Annealing) Applicable Processes: High-Temperature Annealing Applicable process: Annealing of SiC and GaN wafers

SiC高温氧化炉

SiC高温氧化炉

♦适用领域：化合物半导体 Relevant Industries: Compound Semiconductors ♦适用材料：SiC Suitable for Processing: Silicon Carbide (SiC) ♦晶圆尺寸：8/6英寸 Wafer Size: 8/6 inch ♦适用工艺：高温氧化(Oxidation) Applicable Processes: High-Temperature Oxidation

LPCVD设备

LPCVD设备

♦适用领域：集成电路、先进封装 Relevant Industries: Integrated Circuits, Advanced Packaging ♦适用材料：Si、SiC Suitable for Processing: Silicon (Si), Silicon Carbide (SiC) ♦晶圆尺寸：12/8/6英寸 Wafer Size: 12/8/6 inch ♦适用工艺：氮化硅(SiN)、多晶硅(Poly-Si/U-Poly/D-Poly)、二氧化硅(TEOS)、HTO等 Applicable Processes: Silicon Nitride (SiN) Deposition, Polysilicon (Poly-Si / U-Poly / D-Poly) Deposition, Silicon Dioxide (TEOS) Deposition, HTO, etc.

氧化/扩散/退火炉

氧化/扩散/退火炉

♦ 适用领域：  集成电路、先进封装 Relevant Industries: Integrated Circuits, Advanced Packaging ♦ 适用材料:  Si、SiC Suitable for Processing: Silicon (Si), Silicon Carbide (SiC) ♦晶圆尺寸:  12/8/6英寸 Wafer Size: 12/8/6 inch ♦适用工艺:  氧化(Oxidation)、退火(Annealing)、固化(Polyimide)、合金(Alloy)、扩散(Diffusion) Applicable Processes:  Oxidation, Annealing, Polyimide Curing, Alloy, Diffusion

垂直布里奇曼法（VB）炉（非铱技术）

垂直布里奇曼法（VB）炉（非铱技术）

适用领域：  单晶生长 Relevant Industries:Single Crystal Growth 适用材料:  Ga2O3、GaAs、InP等 Suitable for Processing: Ga2O3 (Gallium Oxide), GaAs (Gallium Arsenide), InP (Indium Phosphide) etc. 晶圆尺寸:  12/8/6英寸 Wafer Size: 12/8/6 inch

HVPE 法单晶生长设备 —卧式

HVPE 法单晶生长设备 —卧式

适用领域：单晶生长、外延生长 Relevant Industries: Single Crystal Growth, Epitaxial Growth 适用材料:  GaN（单晶）、AIN（单晶/外延）、Ga2O3（外延）、GaAs（外延） Suitable for Processing: GaN (single crystal),AlN (single crystal / epitaxial)Ga2O3 (epitaxial), GaAs (epitaxial) 晶圆尺寸:  12/8/6/4英寸 Wafer Size: 12/8/6/4 inch

HVPE 法单晶生长设备 —立式

HVPE 法单晶生长设备 —立式

适用领域：单晶生长、外延生长 Relevant Industries: Single Crystal Growth, Epitaxial Growth 适用材料:  GaN（单晶）、AIN（单晶/外延）、Ga2O3（外延）、GaAs（外延） Suitable for Processing: GaN (single crystal),AlN (single crystal / epitaxial)Ga2O3 (epitaxial), GaAs (epitaxial) 晶圆尺寸:  12/8/6/4英寸 Wafer Size: 12/8/6/4 inch

SiC籽晶粘接设备

SiC籽晶粘接设备

适用领域：  Bonding Relevant Industries: Bonding 适用材料:  SiC Suitable for Processing: SiC (Silicon Carbide) 晶圆尺寸:  12/8/6英寸 Wafer Size: 12/8/6 inch

PVT法长晶炉——电阻炉

PVT法长晶炉——电阻炉

适用领域：单晶生长 Relevant Industries:  Single Crystal Growth 适用材料:  SiC、AIN Suitable for Processing:  SiC (Silicon Carbide), AlN (Aluminum Nitride) 晶圆尺寸:  12/8/6/4英寸,8英寸多坩埚 Wafer Size: 12/8/6/4 inch, 8 inch Multi-crucibles Provide6/8 inches process

PVT法长晶炉——感应炉

PVT法长晶炉——感应炉

适用领域：单晶生长 Relevant Industries:  Single Crystal Growth 适用材料:  Si、AIN Suitable for Processing:  SiC (Silicon Carbide), AlN (Aluminum Nitride) 晶圆尺寸:  12/8/6/4英寸,8英寸多坩埚 Wafer Size: 12/8/6/4 inch, 8 inch Multi-crucibles

提拉法单晶生长设备

提拉法单晶生长设备

适用领域：单晶生长、EFG、LPE Application Fields: Single Crystal Growth, Edge-defined Film-fed Growth (EFG), Liquid Phase Epitaxy (LPE) 适用材料:  SiC、Ga2O3、YAG、LYSO、LT/LN、GGG、YAP等晶体 Suitable for Processing: SiC (Silicon Carbide), Ga2O3 (Gallium Oxide), YAG (Yttrium Aluminum Garnet), LYSO (Lutetium Yttrium Orthosilicate), LT/LN (Lithium Tantalate / Lithium Niobate), GGG (Gadolinium Gallium Garnet), YAP (Yttrium Aluminum Perovskite) and other crystals 晶圆尺寸:  12/8/6/4英寸 Wafer Size: 12/8/6/4 inch

MPCVD设备

MPCVD设备

适用领域：  单晶生长、多晶热沉 Relevant Industries: Single Crystal Growth, Polycrystalline Heat Sink Fabrication 适用材料:  Diamond Suitable for Processing: Diamond 晶圆尺寸:  8/6/4/3/2英寸 Wafer Size: 8/6/4/3/2 inch

山东力冠微电子装备有限公司

聚力成事 · 名冠天下

山东力冠微电子装备有限公司成立于2013年，同年6月正式成为中国电子专用设备工业协会会员；2018年11月，被山东省科技厅认定为“高新技术企业”；2019年3月被第三代半导体产业技术创新战略联盟评为副理事长单位，同年9月荣获中国创新创业大赛·国际第三代半导体专业赛优胜奖；2022年、2023年分别被山东省工信厅认定为“创新型中小企业”与“专精特新中小企业”。2024年被评为“山东省首台（套）技术装备及关键核心零部件生产企业“、“山东省瞪羚企业”。作为一家国家高新技术企业，公司常年与国内知名半导体企业、科研院校等保持密切合作，产品被广泛应用于集成电路、功率半导体、化合物半导体、5G芯片、光通信、MEMS等新型电子器件制造领域。经过十年的发展，已成为一家集研发、生产、销售为一体的半导体工艺装备制造商。

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山东力冠微电子装备有限公司
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主要从事半导体专用设备的研发、生产、销售与专业化的技术服务。

经验丰富

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山东力冠成立于2013年，是一家集研发、生产、销售为一体的先进半导体装备制造与工艺技术服务商，业务覆盖国内外市场

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实力雄厚

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