SiC高温氧化设备

所属分类：

第三代半导体工艺设备

第一代半导体工艺设备

概要：

♦ 专门用于硅碳化合物(SiC) 的氧化处理，可实现SiC片在高温真空环境下完成高温氧化工艺。氧化工艺使用湿法氧化气体或N2O、NO、NO2,是最安全的毒性气体氧化炉 ♦ 设备适用于SiC基功率器件制造中的高温氧化工艺环节 ♦ 加热腔与工艺腔独立密闭设计，提供工艺腔的洁净度

关键词：

SiC高温氧化

SiC高温氧化设备

产品概述/Product Introduction：

♦ 专门用于硅碳化合物(SiC) 的氧化处理，可实现SiC片在高温真空环境下完成高温氧化工艺。氧化工艺使用湿法氧化气体或N₂O、NO、NO₂,是最安全的毒性气体氧化炉

Specially used for oxidation treatment of silicon-carbon compounds (SiC), which can realize the high-temperature oxidation process of SiC sheets in high-temperature vacuum environment. The oxidation process uses wet oxidation gas or N₂O, NO and NO₂, which is the safest oxidizing furnace for toxic gas.

♦ 设备适用于SiC基功率器件制造中的高温氧化工艺环节

The equipment is suitable for the high temperature oxidation process in the manufacture of SiC-based power devices

♦ 加热腔与工艺腔独立密闭设计，提供工艺腔的洁净度

The heating chamber and the process chamber are designed independently and sealed to provide the cleanliness of the process chamber

产品特点/Product Characteristics：

♦ 采用立式结构、工艺控制好、温度分布均匀、气流稳定

The vertical structure is adopted, the process is well controlled, the temperature distribution is uniform, and the airflow is stable

♦ Robot自动传送(可选)

Robot Auto Transfer (Optional)

♦ 多点控温，温度均匀

Multi-point temperature control, uniform temperature

♦ 具有多种报警功能及安全保护功能