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  • 产品名称: 等离子化学气相沉积设备(PECVD)
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产品简介:
设备用于2~6英寸硅片淀积SiO2、Si3N4、非晶硅等薄膜。
广泛应用于半导体集成电路工艺中的多层布线、表面钝化功能膜生长等工艺。
产品特点:
1.除装卸片方式为手动外,生长过程采用工业计算机对温度、流量、压强、阀门等自动控制。
2.设备操作简便,可靠性高。
3.具有良好的工艺性能,适用范围广泛。
主要技术指标: 
结构形式:立式/水平热壁式
装片能力:硅片尺寸2~6英寸/ Φ180mm 
反应室极限真空度:≤2Pa
工艺压强范围:13.3~266Pa 
淀积温度:200~450℃
温度精度:±2℃
RF电源:13.56MHz 500~600W
生长速度:Si3N4:50~150埃;SiO2:100~300埃
膜厚均匀性:≤±3% 

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