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  • 产品名称: 化学气相沉积设备(LPCVD)
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产品简介:
  化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition)是半导体集成电路制造的重要工序之一,主要用于Si3N4、SiO2、Poly-Si、PSG、BPSG、非晶硅薄膜的生长。它是将原材料气体(或者液态源气化TEOS)热能激活发生化学应用而在基片表面生成固体薄膜。低压化学气相沉积是在低压下进行的,由于气压低,气体分子平均自由程大,使生长的薄膜均匀性好,而且基片可以竖放故装片量大,适合于工业化生产。
产品特点:
1. 用工业计算机对工艺时间、温度、气体流量、阀门动作、反应室压力实现自动控制。
2. 采用进口压力控制系统,闭环控制,稳定性高。
3. 采用进口耐腐蚀不锈钢管件、阀门,确保气路气密性。
4.工艺管、真空系统密封可靠,使用安全
5.反应气体分子送气和族射送气,避免气相反应产生
6. 具有完善的报警功能及安全互锁装置。
7. 具有良好的人机界面,灵活的工艺性能。
主要技术指标:
结构形式:水平热壁式
适用硅片尺寸:2~6英寸
装片数量:25~100片/炉管
工作温度范围:350~1100℃
温区长度及精度:760mm≤±1℃
温度梯度:0~30℃/500mm可调
系统极限真空度:0.8Pa
工作压力范围: 30Pa~133Pa可调
淀积膜种类:Si3N4、Poly-Si、SiO2
淀积膜均匀性:Si3N4   ±3%
淀积膜均匀性:Poly-Si ±4% 
淀积膜均匀性:SiO2    ±5%
适用硅片尺寸:6″(φ150mm)
装片数量:25~100片/炉管

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