产品搜索
  • 关键词:
  • 产品分类:
  •  
您现在的位置:首页 >> 半导体工艺设备 >> 低压扩散炉
  • 产品名称: 低压扩散炉
  • 浏览次数: 8190

好友推荐

产品简介:
低压扩散炉主要应用于半导体器件扩散工序POCL3工艺,系统采用闭管扩散的方式。
控制终端采用工业计算机配备进口温控仪表、质量流量计及完善的报警功能,保证整个
工艺过程完全不受外界环境干扰,每管配备独立的偏磷酸回收装置,降低了石英的清洗
频次。
产品特点:
1.独有的柔性自动门技术:大大降低外部环境对反应腔内影响,
2.配合串级温控和压力自动调整技术,工艺参数实现精确控制。
3.真正实现清洁扩散,有效改善工作区环境,降低对操作人员的危害,石英反应管清洗周期和设备的养护时间大大减少。
4.控温精度高,温区稳定性好。5 段自动适时恒温区:在恒温区范围内,可采用 5 点 Profile 热偶配合spike热偶进行串级温控,温控元件应用高精度智能温控器;完整的控制方案确保从低温到高温状态下,炉管内恒温区的持续与真实性。
5.压力自动调整技术:快速温度调整,实现精确控温,降低外围条件波动对工艺的影响,创造更加稳定可控的反应腔内气氛。
6.工艺舟软着陆:工艺反应过程中,SiC 浆离开了反应管。一方面,实现了工艺舟的软着陆,SiC 浆几乎可以做到不清洗;另一方面,从机械方式来讲,没有浆板的阻挡,工艺片在石英管内才是真正意义上的闭管扩散。运行稳定可靠,基本实现免保养。
7.自动化程度:采用模块化工艺控制软件,提高设备UP-TIME和可靠性、缩小体积,可独立运行,实现真正集散式控制。即使上位机故障,工艺过程也不受影响。
主要技术指标:
结构形式:水平热壁式
可配工艺管外径:2~8英寸
装片量:125~250片/管
工作温度范围:600~1150℃
恒温区长度及精度:1300mm/±0.5℃ (800~1150℃)
单点温度稳定性:800~1150℃ ±0.5℃/24h
最大可控升温速度:15℃/min
最大降温速度:5℃/min
气体流量精度:±0.5%FS
气路系统密封性:1×10-7pa.m3/s
均匀性:优于3%

咨询留言
 
留言内容:
* 已输入字符:0
小于等于500字符
您的邮箱:
 
示例:example@mail.com
手机号码:
 
由数字、“+”、中横杠“-”组成,最大允许20个字符
联系电话:
 
小于等于32个字符(包含0-9、-、(、)、顿号)
联系地址:
 
验证码: