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  • 产品名称: VPE气相(液相)外延炉
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产品简介:
气相外延是一种单晶薄层生长方法。气相外延广义上是化学气相沉积的一种特殊方式,其生长薄层的晶体结构是单晶衬底的延续,而且与衬底的晶向保持对应的关系。
在半导体科学技术的发展中,气相外延发挥了重要作用。GaAs气相外延技术生长的GaAs纯度高、电学特性好,广泛的应用于霍尔器件、耿氏二极管、场效应晶体管等微波器件中。
产品特点:
本设备的生长室采用立式石英反应生长室。整个设备包括以下各分系统:反应生长室系统、加热系统、衬底支架传动 系统、 气路系统、水冷却系统、报警系统、气体供给与纯化系统、气动系统、控制系统。
主要技术指标        
结构型式:立式、电阻加热、对开式               
适合2~4"晶体生长工艺
加热炉体:可左右移动         
工作温度:300~1000°
气体流量设定精度:±2%FS或±0.5%FS    
恒温区精度:±1℃
升温速率(室温~1000℃):斜变升温速率可控在0-15℃/min
系统漏气率:≤1х10-9mbar/s
石英支杆转动速度:0-20转/分(可调)    
冷阱使用温度:-25℃~50℃
供电电源:三相五线~380V±10% 50HZ

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