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  • 产品名称: HVPE晶体生长炉
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产品简介:
主要为化合物生长工艺设备,如GaAs、GaN等
以蓝宝石/SiC等为衬底外延生长GaN厚膜或晶体
产品特点:
工业计算机控制系统(WINDOWS系统界面,操作方便简洁)
关键部件均采用进口,确保设备的高可靠性
控温精度高,温区控温稳定性好
具有断电报警、超温/欠温报警、极限超温报警等多种安全保护功能
晶体生长均匀性好、重复性高
主要技术指标:
工作温度:最高1250℃
控温精度±1℃
适应晶体尺寸:2~4英寸
加热控制:多温区
衬底可采用旋转方式
立式(卧式)结构,合理可靠,满足客户工艺要求

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