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SiC高温氧化设备


所属分类:

第三代半导体工艺设备


概要:

专用于硅-碳化合物(SiC)氧化处理,可实现SiC片高温环境下完成高温氧化工艺。氧化工艺使用O2,O2/H2,N2O,NO是最安全的毒性气体氧化炉,设备适用于SiC基功率器件制造中的高温氧化工艺环节,加热腔与工艺腔独立密闭设计,提供工艺腔的洁净度。


关键词:

MPCVD



SiC高温氧化设备


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